	과학기술부 21세기프론티어연구개발사업 차세대정보디스플레이기술개발사업단

차세대정보디스플레이기술개발사업단 공고 제 2002 - 01호

차세대정보디스플레이기술개발사업 공고

과학기술부 21세기 프론티어 연구개발사업의 일환으로 추진되는 『차세대정보디스플레이기술개발사업』의 세부과제 발굴을 위한 연구개발사업 시행계획을 다음과 같이 공고하오니 관련 연구과제를 신청하여 주시기 바랍니다.

2002년 8월 14일

차세대정보디스플레이기술개발사업단

단  장    박   희   동

I. 사업개요

1. 목적

HDTV용 평판 디스플레이 및 새로운 개념의 미래형 정보 디스플레이 원천·핵심 기술을 개발하여 국내 디스플레이 산업의 국제 경쟁력 제고와 인류의 삶의 질 향상에 이바지하기 위함.

2. 연구개발 내용 및 목표

2010년 이후에 본격적인 시장을 형성할 대화면, 박막형, 초경량, 실감형, 고화질, 고밀도, 고정세, 저전력, 다기능을 구현할 새로운 개념의 미래형 정보디스플레이 개발

- 전유기(all-organic) 디스플레이 기술 개발

- 차세대 시스템 디스플레이 원천기술 개발

* 20인치급 다기능 ASD 원천기술 개발

* ASD형 microdisplay 원천기술 개발

- 차세대 HDTV용 평판 디스플레이 핵심 요소기술 개발

* 40인치급 이상 HDTV용 TFT-LCD 핵심 요소기술 개발

* 70인치급 이상 고효율·저가격 HDTV용 PDP 핵심 요소기술 개발

II. 과제신청

1. 신청자격 및 신청서식

가. 신청자격

- 신청기관 : 기술개발촉진법(개정 2001. 5. 24) 제7조 제1항에 해당하는 기관 및 단체.

- 외국인(기관 포함)은 연구신청이 가능한 국내기관 및 단체와의 협동(또는 위탁)연구 형식으로만 과제 신청이 가능함.

- 연구수행기관은 원칙적으로 해당 연구과제 수행을 위해 필요한 핵심기기 및 장비와 연구 인력을 보유하고 있어야 함.

- 연구책임자 : 해당분야 연구 및 현장 종사경력 5년 이상인 자.

나. 신청서식

- 사업단 홈페이지(www.display.re.kr) 자료실의 규정·서식 모음에서 다음 서식을 파일내려받기(file-download)하여 작성.

* 21세기 프론티어 연구개발사업 과제(신청, 계획)서

2. 신청방법 및 구비서류

가. 인터넷 홈페이지에 게시된 과제신청서 서식과 그 작성요령에 따라 신청서를 한글로 작성한 후, 신청 공문 및 접수증 각 1부와 인쇄 및 날인된 연구개발과제신청서 15부를 본 사업단 사무국으로 우편 또는 직접 방문하여 제출하고, 동시에 본 사업단의 인터넷 홈페이지를 통하여 「연구개발과제신청서」를 반드시 마감 당일 18:00까지 파일올리기(file-upload) 해야 함.

나. 참여기업 구비서류

- 기업참여의사 확약서 1부.

- 중소기업임을 확인할 수 있는 서류(중소기업인 경우) 1부.

- 벤처기업확인서(벤처기업인 경우) 1부.

- 기업부설연구소 인증서(기업주관인 경우) 1부.

3. 연구과제 신청시 고려사항

가. 참여기업이 연구 결과물에 대한 우선 실시권을 보장받기 위해서는 참여기업의 유형에 따라 다음과 같이 연구개발비를 부담하여야 함.

- 대기업의 경우; 총연구개발비의 50% 이상

(현금 부담은 부담액의 30% 이상)

- 중소기업의 경우; 총연구개발비의 25% 이상

(현금 부담은 총연구개발비의 10% 이상)

나. 참여기업 부담 연구개발비 중 현물부담이 허용되는 비목 및 범위는 다음과 같음.

- 기업소속 연구원의 인건비(단, 대기업의 경우 현물 투자액의 50% 이내로 인정)

- 직접경비 중 보유하고 있는 연구기자재 및 시설비, 재료비, 시작품 제작에 소요되는 부품비(단, 대기업이 보유하고 있는 연구기자재 및 시설비는 기업의 현물부담액 중 인건비를 제외한 금액의 50% 이내)

- 해당기관은 현물확보 및 사용내역에 관한 증빙자료를 유지하고 관계자 등의 증빙자료 요구 시 이를 제출하여야 함.

다. 연구과제중심운영제도(project-based system)에 따른 연구원가의 정확한 산정과 연구참여자의 실명을 명시함.

□ PBS 적용기관이 아니더라도 참여연구원을 실명화하고 직급별·직종별 인원수, 각 참여연구원별 참여율 및 인건비 책정액 등을 명확히 기재하여야 함.

라. 연구개발목표를 연구기간 내 각 연도별로 구체적, 정량적으로 명시하여야 하며, 연구과제신청서상의 『3. 연구평가의 착안점 및 척도』 항목에 객관적인 평가를 위한 정량적이고 구체적인 내용을 반드시 제시하여야 함.

마. 연구개발비 산정은 별도의 지침이 없는 한 과학기술부의 특정연구개발사업비산정·사용및정산지침(개정 2002. 3. 20)에 준함.

바. 과제신청서를 파일올리기 할 경우 연구개발신청서의 파일명은 「신청서_연구책임자명」으로 작성함.

예) 연구책임자가 □홍길동□인 경우 파일명은 「신청서_홍길동.hwp」

사. 연구성과 활용 및 기술실시와 기술료징수 및 사용 등에 관한 사항은 사업단과 주관연구기관 간의 협약과 특정연구개발사업처리규정(개정 2002. 3. 20) 제38조 내지 제43조 등에 의함.

아. 연구개발기간은	제1차년도  9개월 (2002. 10.  . ~ 2003. 6. 28.)

제2차년도 12개월 (2003. 6. 29. ~ 2004. 6. 28.)

제3차년도 12개월 (2004. 6. 29. ~ 2005. 6. 28.)로 함.

단, 협약 일정에 따라 기간이 변경될 수 있음.

4. 선정평가 절차

사전검토			1차평가		2차평가			선정 및 수정·보완 통보
구비서류 등 신청과제 사전검토			연구신청서 □서면평가□		연구신청서 □발표평가□

가. 1차 평가는 최종선정 예상 과제수의 3배수 내로 선정하며, 1차 평가에서 선정된 과제에 한해서 2차 평가를 실시함.

나. 1차 및 2차 선정 결과는 개별적으로 통보하고, 동시에 인터넷 홈페이지에 공지함.

다. 같은 연구 분야에 선정된 과제들(2개 이상일 경우)은 연구 결과와 정보 교환 등 시너지 효과 창출을 위해 콘소시움 형성을 권장할 수 있음.

5. 과제협약

가. 총괄협약은 과학기술부와 사업단 간, 세부과제협약은 사업단과 세부과제 주관연구기관 간에 체결함.

나. 과제협약 체결은 각 단계별 다년도 협약을 원칙으로 하되, 매년 평가를 통하여 연구과제별 연구개발비 지원을 중단하거나 조정할 수 있음.

다. 협약체결시 참여기업부담금(현금)을 주관연구기관 연구개발비 관리통장에 입금되었음을 증빙하여야 함.  다만, 2회차로 구분하여 기업부담금을 출자할 경우 1차분(현금출자액 50% 이상)은 협약체결시 현금으로 출자하고, 2차분(잔액)은 협약일로부터 3개월 이내에 현금화하는 은행발행약속어음 등으로 출자할 수 있음.

6. 공고·접수기간 및 접수처

가. 공고기간 : 2002년 8월 14일(수) ∼ 9월 4일(수)

나. 사업설명회 : 없음

다. 접수기간 : 2002년 8월 26일(월) 09:00 ~ 9월 4일(수) 18:00

라. 접수 및 문의 :

- 접수처

□ [133-791]	서울특별시 성동구 행당동 17번지 한양대학교 내

한양종합기술연구원 418호

차세대정보디스플레이기술개발사업단 사무국

□ 사업단 인터넷 홈페이지 : www.display.re.kr

□ 연구개발신청서는 제본하지 않은 상태로 제출함.

- 문의처

□ 전화 : (02) 2298-4545	□ 팩스 : (02) 2299-1859

□ 홈페이지 : www.display.re.kr	□ E-mail : display@display.re.kr

7. 향후 추진일정

-  2002. 8. 14. ∼ 9.  4.	사업공고 및 과제신청서 접수

-  2002. 9.  5. ∼ 9. 17.	신청과제 검토 및 1차평가 (서면평가)

-  2002. 9. 24. ∼ 9. 27.	2차평가(패널평가)

-  2002. 10. 2. ∼ 10. 5.	최종 선정결과 및 수정·보완사항 통보

-  2002. 10. 7. ∼ 10. 12.	협약체결

-  2002. 10.	연구착수

□ 상기 추진일정은 사정에 따라 일부 변경될 수 있음.

III. 1단계 사업 과제 제안 요구서(RFP)

대과제	중과제	단위과제	과제번호
전유기 디스플레이 기술 개발	유기 디스플레이용 박막 재료 개발		AOD-02-A
	유기 디스플레이용 모듈 재료 개발		AOD-02-B
	유기 디스플레이용 신 디스플레이 모드 개발		AOD-02-C
	유기 TFT 소자 기반 기술 개발		AOD-02-D
	유기 TFT Array 및 모듈 기술 개발		AOD-02-E
차세대 시스템 디스플레이 기술 개발	LC/Si-based ASD 기반기술	고해상도, 고집적도 LCoS 기반 기술 개발	ASD-02-A
	15□/20□급 ASD 기반 기술 개발	Plastic 기판상에 single-crystal-like 다기능 Poly-Si TFT 제작 및 공정집적화	ASD-02-B-01
		유리기판상에 single-crystal-like 다기능 Poly-Si TFT 제작 및 공정집적화	ASD-02-B-02
		고품위 LSI 접속기술 (Chip on Glass/Plastic) 개발	ASD-02-B-03
		TFT-based 시스템 architecture 및 fault-tolerant processor 설계 기술 개발	ASD-02-B-04
40인치급 이상 HDTV 용 TFT-LCD 원천기술 개발	응답속도/시야각 개선을 위한 요소/핵심 기술 개발		LCD-02-A
	휘도/대비비/색재현성 개선을 위한 요소/핵심 기술 개발		LCD-02-B
	Cost Down(Simple Process)을 위한 요소/핵심 기술 개발		LCD-02-C
70인치급 HDTV 용 PDP 기술 개발	고화질 PDP 핵심 기술 개발		PDP-02-A
	고효율 PDP 요소 기술 개발		PDP-02-B
	차세대 PDP 디지털 색 처리 및 자립형 회로 기술 개발		PDP-02-C
	PDP 모듈 기술 개발		PDP-02-D
	PDP셀의 Microplasma 현상 해석 연구		PDP-02-E
	HDTV용 PDP 핵심 부품 재료 공정 기술		PDP-02-F
자유공모 과제			FREE-02

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		AOD-02-A
대분류명		전유기 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		유기 디스플레이용 박막 재료 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 고이동도 신 유기반도체 재료 설계/합성/정제 및 성막 기술 □문턱전압 < 절대치 5.0V □순도 >99.0% □metal 함량 < 50ppm □TFT 전계효과 이동도> p-type: 0.5, n-type: 0.1 cm2/Vs □TFT on/off 전류비>105 □ 고유전율 신 유기절연체 재료 설계/합성/정제 및 성막 기술 □유전상수 >4.0 □체적저항율 >1□1012□□cm □절연파괴전압> 0.5MV/cm □평탄도 <10nm rms □순도 >99.0% □이온함유량 < 10 ppm □ 유기디스플레이용 전도성 재료 개발 □재료내화학 저항 변화 □ 10%, 재료 휨에 대한 비저항 변화 □ 20% □재료 열안정성: 150□/1h □배선재료 비저항 □ 20□□□ □투명전극 면저항 < 100□/sq □투명전도막 광투과도 > 80% (380-780nm) □투명전도막 표면 평탄도 < 10nm
년도별 연구 내용	1차 년도	□신 유기 반도체, 절연체 재료 설계/합성 연구 □유기 반도체, 절연체 재료 물성 평가 기술 연구 □유기 디스플레이용 전도성 재료 연구 □유기 반도체, 절연체 박막 형성 방법 연구
	2차 년도	□신 유기 반도체, 절연체 재료 설계/합성 기술 개발 □유기 반도체, 절연체 박막 형성 방법 향상 연구 □유기 반도체, 절연체 박막 특성 평가 기술 연구 □유기 디스플레이용 전도성 재료 및 성막 방법 연구 □유기 다층막 제작 및 박막 특성 향상 기술 연구
	3차 년도	□신 유기 반도체, 절연체 재료 설계/합성/정제 기술 개발 □유기 반도체, 절연체 다층 박막 형성 방법 연구 □유기 디스플레이용 전도성 재료 및 성막 방법 향상 연구 □유기 디스플레이용 전도성 박막 특성 평가 기술 연구 □유기 다층 소자 제작 및 소자 특성 향상 기술 연구
연구과제의 추진 방법
□ 중과제 형태로 추진함 □ 산□학□연 공동연구 권장
연구과제 신청시 기타 고려□사항
□ 기존의 재료가 아닌 신 재료 및 성막 공정 개발, 단위 소자에의 적용 □ 저분자/고분자 물질, 건식/습식 성막법 사용 가능

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		AOD-02-B
대분류명		전유기 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		유기 디스플레이 모듈 재료 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 유기 디스플레이용 기판 개발 □고분자 소재: Tg > 150□ □반사율 < 10% □평탄도: 미시 (10□□10□) < 10nm, 거시 (>15□급) < 5□ □전 가시광선 평균 투과도 > 80% 및 중심파장 (@550nm) 투과도 > 85% □수분 및 산소투과도 - H2O 투과도 < 10-4 g/m2□day at 23□, 90%RH - O2 투과도 < 10-4 g/m2□day at 23□, 100% O2 □플라스틱 기판 평가 기술 개발 □ 유기 디스플레이용 보호막 개발 □유기/무기 보호막용 재료 개발 □투명 barrier 박막 형성 기술 개발 - 투과 방지 특성: H2O < 10-4g/m2□day at 23□, 90%RH O2 < 10-4g/m2□day at 23□, 100% O2 □Sealing에 대한 평가 기술 개발 □Sealant/seal cap 개발 - 내열성 > 150□ - 디스플레이 소자 수명 (Shelf lifetime) > 10,000시간
년도별 연구 내용	1차 년도	□기판용 고분자 소재의 분자설계 및 합성 □수분 및 산소투과 방지용 barrier층 형성 기술 개발 □보호막용 소재 개발 □보호막 기초 기술 연구 : 보호막 재료 및 성막 방법 연구
	2차 년도	□Outcoupling 연구를 통한 효율의 향상 □기판 재료 및 기판 평가 기술 개발 □기판용 고분자 재료에 적합한 필름 및 기판화 단위공정 개발 □보호막 기초 기술 연구 : 보호막 재료 및 성막 방법 향상 연구
	3차 년도	□Sealing 재료 및 Sealing에 대한 평가 기술 개발
연구과제의 추진 방법
□ 중과제 형태로 추진함 □ 효과적인 산학연간의 공동 연구를 통한 재료 및 제조공정 확립
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 기판과 보호막 제조에 필요한 재료 개발이 반드시 수행되어야함

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		AOD-02-C
대분류명		전유기 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		유기 디스플레이용 신 디스플레이 모드 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 3□∼5□ dynamic 모드 개발 □Frame rate: 60Hz □Gray scale: 16 □4,096 color □휘도: 50cd/m2 □Contrast ratio> 50:1 □Data구동전압 < 15 V □소비전력: 20□/pixel □수명 >2,000 시간이상 □동영상 □ 3□∼5□ memory 모드 개발 □Retention time > 3 min. or permanent memory □4,096 color □휘도: 50cd/m2 □Contrast ratio> 5:1 □Data구동전압 < 50 V □소비전력: 20□/pixel □수명 >5,000 시간이상 □정지상
년도별 연구 내용	1차 년도	□ Dynamic 모드 기초 기술 연구 □Frame rate: 60Hz □RGB 구현 □휘도: 10cd/m2 □Contrast ratio> 10:1 □Data구동전압 < 30 V □소비전력: 100□/pixel □수명 >500 시간이상 □ Memory 모드 기초 기술 연구 □Retention time > 1 min. or permanent memory □512 color □휘도: 10cd/m2 □Contrast ratio> 3:1 □Data구동전압 < 50 V □수명 >1,000 시간이상 □정지상
	2차 년도	□ 3□∼5□ dynamic 모드 기술 연구 □Frame rate: 60Hz □Gray scale: 8 □512 color □휘도: 30cd/m2 □Contrast ratio> 25:1 □Data구동전압 < 20 V □소비전력: 50□/pixel □수명 >1,000 시간이상 □ 3□∼5□ memory 모드 기술 연구 □Retention time > 2 min. or permanent memory □4,096 color □휘도: 30cd/m2 □Contrast ratio> 5:1 □Data구동전압 < 50 V □수명 >3,000 시간이상 □정지상
	3차 년도	□ 3□∼5□ dynamic 모드 개발 □Frame rate: 60Hz □Gray scale: 16 □4096 color □휘도: 50cd/m2 □Contrast ratio> 50:1 □Data구동전압 < 15 V □소비전력: 20□/pixel □수명 >2,000 시간이상 □동영상 □ 3□∼5□ memory 모드 개발 □Retention time > 3 min. or permanent memory □4,096 color □휘도: 50cd/m2 □Contrast ratio> 5:1 □Data구동전압 < 50 V □수명 >5,000 시간이상 □정지상
연구과제의 추진 방법
□ 중과제 형태로 추진함 □ 산□학□연간 공동연구 권장
연구과제 신청시 기타 고려사항

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		AOD-02-D
대분류명		전유기 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		유기 TFT 소자 기반 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 유기 TFT 단위 소자 및 공정 개발 □전계효과 이동도: p형 TFT > 0.5, n형 TFT > 0.1 cm2/V□s □TFT on/off 전류비 > 106 □문턱전압 < 절대치 5.0 V □누설전류 < 1.0 pA/□ □BV > 18 V □채널 길이 < 30 □ □유리/플라스틱 기판 사용, 공정온도 < 250 □ □ TFT array 기초 설계 연구
년도별 연구 내용	1차 년도	□유기 박막 형성 공정 개발 □유기 박막 형상화 공정 기초 연구 □유기 반도체 박막 에너지 준위 및 갭 상태 측정 및 분석 □유기 capacitor 특성 측정 및 분석 □유기 TFT 제조 공정 기초 연구
	2차 년도	□유기 반도체-절연체/전극 다층 구조 기초 연구 □유기 반도체-절연체/전극 계면 특성 평가 □계면 특성에 따른 TFT 특성 연구 □유기물 분자 구조 및 배열 제어 기술 연구 □유기 TFT 구조 설계 연구 □유기 TFT 제조 공정 개선 연구 □유기 TFT 특성 평가 및 전기 전도 기구 규명 □유기 TFT array 구조 설계 연구
	3차 년도	□유기 반도체-절연체/전극 다층 구조 형성 공정 기술 □유기 반도체-절연체/전극 계면 특성 개선 연구 □유기 TFT Transient 특성 평가 □유기물 분자 구조 및 배열 제어 개선 연구 □Back channel effect 감소를 위한 계면 처리기술 개발 □유기 TFT 구조 및 공정 최적화 □유기 TFT array 단위 공정 기술 연구
연구과제의 추진 방법
□ 중과제 형태로 추진함 □ 산□학□연간 공동연구 권장 □ 본 사업에서 개발되는 유기 디스플레이용 박막 재료의 적용
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 저분자/고분자 물질, 건식/습식 성막법 사용 가능

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		AOD-02-E
대분류명		전유기 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		유기 TFT array 및 모듈 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ Rugged display module 개발 □Panel Size: 3□∼5□ 급 □해상도: 100 ppi 급 □Color 수: 4096 □ Curvature radius: 20 cm □ 3□∼5□ 100ppi급 TFT array 공정 기술 개발 □Array상 TFT: □Vth < 20%, □mobility < 20% □수명 > 2,000시간 □배선 공정 기반 기술 확보: 박막균일도< □15%, 비저항 < 20□□ cm □절연체 액상 성막 공정 연구: 유전율 < 4, roughness < 30□ rms □저온 passivation 공정 기술 연구: 공정온도 < 180oC □증착기술개발: uniformity <□5% □Patterning기술 연구: uniformity <□10% □ 플라스틱 기판 OLB 용 재료 및 공정 개발 □저온 경화형 (150□) ACF 개발 □저수축 TAB film 재료개발 (CTE : 15이하) □Pitch 50□ 대응 □ 플라스틱 기판 OLB & PCB 적용 □ 유기 디스플레이용 light source unit 개발 □Paper type LGP 개발 □두루마리 수광발광형 display에 대응 □고휘도 white 발광 소자 개발: B/L 휘도> 2000 nit, 수명>1만 시간
년도별 연구 내용	1차 년도	□대면적 유기 박막 성막 공정 개발 □유기 박막의 접착성 향상 기술 □유기 박막의 형상화 기술 기초 연구(lithography, printing, soft lithography 등) □저온 경화형 ACF 재료, 저수축 TAB film 재료, Paper type LGP 재료 연구 □Paper type 면광원 기초 연구 □Rugged display module 설계 및 단위 공정 연구
	2차 년도	□대면적 유기 박막 적층 공정 개발 □유기 박막의 균일도 향상 기술 □표면개질을 이용한 다층박막의 접착력 및 stress개선 □유기 박막의 형상화 공정 개발 □유기 TFT array 구조 설계 및 공정 기술 개발 □디스플레이 mode와 유기 TFT array의 통합 공정 정의 □저온 경화형 ACF, 저수축 TAB film 연구 □유기 소자를 위한 구동 module 관련 재료 연구 □유기 디스플레이 module 저소비전력화 및 계조화 기초 연구 □Rugged display module 설계 및 공정 향상 연구
	3차 년도	□대면적 유기 박막 적층 공정 최적화 □유기 박막의 고이동도 기술 □유기 박막의 형상화 공정 최적화 □유기 TFT array 설계 및 공정 기술 최적화 □양산 적용 가능한 디스플레이 mode와 유기 TFT array의 통합 공정 개발 □플라스틱 기판 OLB 및 PCB 적용 □유기 소자를 위한 구동 module 관련 설비 연구 □유기 디스플레이 module 저소비전력화 및 계조화 기술 연구 □Rugged display module 설계 및 공정 최적화
연구과제의 추진 방법
□ 산업체 중심 과제로 수행 □ 재료 및 소자 연구 과제와 유기적인 협동연구로 최적의 module 및 공정을 개발한다. □ 디스플레이 mode는 유기 TFT array에 가장 적합한 mode로 결정한다.
연구과제 신청시 기타 고려사항

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		ASD-02-A
대분류명		차세대 시스템 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		LC/Si-based Advanced System Display(ASD) 기반 기술 개발
단위과제명		고해상도, 고집적도 LCoS 기반 기술 개발
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 고집적도(화소부, 구동회로부, timing controller 등) HDTV용 LCoS imager 설계 및 제조기술 개발 □ 고속응답 (<1msec) 액정모드 개발 □ 저 cell gap(<1□) 형성 및 제어기술 개발 □ HDTV급 3 panel Front/Rear projection type LCoS시제품 제작
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 고집적도(화소부, 구동회로부, TC부), HDTV용 LCoS imager 설계 □ 고집적도, 고해상도 LCoS imager 제조기술 확보 □ 고속 응답 (<2msec) 액정 모드 개발 □ 저 cell gap (1□ 수준) 형성 및 제어 기술 개발 □ 3P Front/Rear Projection 광학 시스템, 시스템 보드 설계 및 제작
	2차 년도	□ 고집적도 HDTV용 LCoS imager 제작 및 평가 □ 고속 응답 (<1msec) 액정 모드 개발 □ 저 cell gap (<1um) 형성 및 제어 기술 개발 □ 3P Front/Rear Projection 광학 시스템, 시스템 보드 평가 및 수정 보완 □ 고집적도 HDTV용 LCoS imager 수정 보완 설계 및 제작
	3차 년도	□ HDTV급 3P Front/Rear Projection LCoS 시제품 제작 및 평가 □Si back-plane 화면 크기 <0.7□ □8-bit full color □C/R >200:1 □휘도 >300cd/m2 이상 □응답속도 <1msec
연구과제의 추진 방법
□ 기업체 주도 □ imager 설계 및 고속 액정모드 연구부분에 대학/연구소 협동 연구 □ imager 제조부분에 반도체업체 참여
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ imager 제조사가 국내사인 경우 가산점 부여

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		ASD-02-B-01
대분류명		차세대 시스템 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		15□/20□급 다기능 차세대 시스템 디스플레이 기반 기술 개발
단위과제명		Plastic 기판상에 single-crystal-like 다기능 poly-Si TFT 제작 및 공정집적화 기술 개발
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 고품위 극저온(150C 이하) Poly-Si TFT 형성기술 개발 □n-mobility >100cm2/Vsec □p-mobility >50cm2/Vsec □leakage current <0.3pA/□ □문턱전압 <1.0V (시스템용) □문턱전압 <2.5V (화소용, 구동회로용) □No Kink (아날로그용) □□mobility <8%, □Vth <8% □short channel length <1.5□ □화소용, 구동회로용, 아날로그용, 시스템용 TFT 소자 제조 기술
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 극저온(150C 이하) Si 증착 및 결정화 기술 확립 □ 극저온 게이트 절연막 형성 기술 확립 □ 극저온 도펀트 활성화 및 damage recovery 기술 □ Poly-Si TFT 제작 및 특성 평가
	2차 년도	□ 극저온 grain size 및 결정화 방향 조절 가능한 결정화 기술 개발 □ 극저온 poly-Si TFT 형성 기술 향상 □ Poly-Si TFT 제작 및 특성 평가 (TFT 특성 향상 기술 개발) □ Poly-Si TFT의 대면적화 및 저가격화 기술
	3차 년도	□ 극저온 grain size 및 결정화 방향 조절 가능한 결정화 기술 개발 □ 극저온 poly-Si TFT 형성 기술 향상 □ TFT 특성 향상 기술 및 short channel TFT 소자 개발 □ Poly-Si TFT의 대면적화 및 저가격화 기술 및 신뢰성 향상 기술
연구과제의 추진 방법
□ 기업체 주도로 산학연 협동 연구로 대형 과제로 추진 □ 필요에 따라서 국제협력 연구 추진 가능 □ 단위공정연구 또는 소과제인 경우에는 자유공모과제로 추진 가능
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 차세대 시스템 디스플레이에 적용할 수 있는 다양한 용도(화소용, 구동회로용, 시스템용, 아날로그 회로용)의 TFT 소자를 제작 가능한 저가격, 고품위, 극저온(150C 이하) TFT 형성기술이어야 됨.

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		ASD-02-B-02
대분류명		차세대 시스템 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		15□/20□급 다기능 차세대 시스템 디스플레이 기반 기술 개발
단위과제명		유리기판상에 single-crystal-like 다기능 poly-Si TFT 제작 및 공정집적화 기술 개발
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 고품위 저온 Poly-Si TFT 형성기술 개발 □n-mobility >350cm2/Vsec □p-mobility >175cm2/Vsec □leakage current <0.3pA/□ □문턱전압 <1.0V (시스템용) □문턱전압 <2.5V (화소용, 구동회로용) □No Kink (아날로그용) □□mobility <8%, □Vth <8% □short channel length <1.5□ □화소용, 구동회로용, 아날로그용, 시스템용 TFT 소자 제조 기술
년도별 연구 내용	1차 년도	□ Single-crystal-like poly-Si 결정화 기술 개발 □ 고품위 저온 게이트 산화막 형성 기술 □ 저온 도펀트 활성화 및 damage recovery 기술 □ Poly-Si TFT 제작 및 특성 평가
	2차 년도	□ 저온 grain size 및 결정화 방향 조절 가능한 결정화 기술 개발 □ 저온 poly-Si TFT 형성 기술 향상 □ Poly-Si TFT 제작 및 특성 평가 (TFT 특성 향상 기술 개발) □ Poly-Si TFT의 대면적화 및 저가격화 기술
	3차 년도	□ 저온 grain size 및 결정화 방향 조절 가능한 결정화 기술 개발 □ 저온 poly-Si TFT 형성 기술 향상 □ TFT 특성 향상 기술 및 short channel TFT 소자 개발 □ Poly-Si TFT의 대면적화 및 저가격화 기술 및 신뢰성 향상 기술
연구과제의 추진 방법
□ 기업체 주도로 산학연 협동 연구로 대형 과제로 추진 □ 필요에 따라서 국제협력 연구 추진 가능 □ 단위공정연구 또는 소과제인 경우에는 자유공모과제로 추진 가능
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 차세대 시스템 디스플레이에 적용할 수 있는 다양한 용도(화소용, 구동회로용, 시스템용, 아날로그 회로용)의 TFT 소자를 제작 가능한 저가격, 고품위, 저온 TFT 형성기술 이어야 됨.

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		ASD-02-B-03
대분류명		차세대 시스템 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		15□/20□급 다기능 차세대 시스템 디스플레이 기반 기술 개발
단위과제명		고품위 LSI 접속기술 (Chip on Glass/Plastic) 개발
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6 (33개월)
1단계 목표		□ Chip on Glass 초극미세 실장 기술 개발 □pitch size: 30□ pitch(peripheral I/O), 50□ pitch(area array) □접속저항: 100m□/bump - 공정온도: 150□이하 □신뢰성평가:40C/95% RH 1000hr storage 후 접속저항 200m□이하 □Bump Size Deviation: □5% □ Chip on Plastic 초극미세 실장 기술 개발 □50□ 이하의 저온 공정 원천기술 개발
년도별 연구 내용	1차 년도	□ BLM 구조 및 형성 연구 □ 40□ pitch bump 재료 및 형성 연구 □ 40□ pitch bump 접속 공정 개발 및 공정 최적화
	2차 년도	□ 30□ pitch bump 형성 및 공정 최적화 연구 □ Bump uniformity 개선 연구 및 area array 접속기술 연구 □ 30□ pitch bump 접속 공정 개발 및 공정 최적화 □ 접속저항 및 신뢰성 평가 □ Chip on Plastic용 저온 실장기술 연구
	3차 년도	□ Peripheral/area array 신뢰성 향상 연구 □ 초극미세 Peripheral/area array 접속 검사 기술 연구 □ 50□ 이하의 COP 구조 및 공정 연구
연구과제의 추진 방법
□ 산/학/연의 단독 또는 협동연구로 추진 가능
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 학/연 단독 연구인 경우에는 반드시 3차년도에는 기업과의 협력연구가 필요함

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		ASD-02-B-04
대분류명		차세대 시스템 디스플레이 기술 개발
중분류과제명		15□/20□급 다기능 차세대 시스템 디스플레이 기반 기술 개발
단위과제명		TFT-based 시스템 architecture 및 fault-tolerant processor 설계 기술 개발
총개발기간		2002. 10.∼2012. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ Sheet computer/E-book/E-paper/E-note 등의 TFT-based system architecture 개발 □ 각종 ASD 디스플레이 시스템의 저가격, 고성능 architecture 개발 □ 각 시스템 구성을 위한 TFT 규격 설정
년도별 연구 내용	1차 년도	□ TFT-based system 디스플레이의 architecture 조사 및 연구 □Sheet computer, E-book, E-paper, E-note 등 다양한 시스템 □ Poly-Si의 성능에 따른 각종 TFT-based ASD system의 성능 평가 □ Poly-Si의 design rule에 따른 TFT-based ASD system의 크기 평가
	2차 년도	□ TFT-based system 디스플레이의 저가격, 고성능 architecture 연구 □Sheet computer, E-book, E-paper, E-note 등 다양한 시스템 □새로운 구조에 대한 ASD 시스템의 성능, 크기 평가 □ TFT-based ASD를 위한 Poly-Si TFT의 특성 규격 연구
	3차 년도	□ TFT-based system 디스플레이의 새로운 architecture 연구 □ TFT-based ASD를 위한 Poly-Si TFT의 특성 규격 제안 □ TFT-based ASD 기술을 검증할 ASD system 제안
연구과제의 추진 방법
□ Poly-Si TFT/TFT-based display/electronic system/컴퓨터 등 다양한 분야의 연구자들의 공동 연구
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 연구내용에 언급한 ASD 시스템 이외에도 ASD에 적합한 시스템이 있으면 추가할 수 있음.

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		LCD-02-A
대분류명		40인치급 이상 HDTV 용 TFT-LCD 원천기술 개발
중분류과제명		응답속도/시야각 개선을 위한 요소/핵심 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ Gray to Gray 응답속도 10 ms 이하 □ 시야각 160도이상 (계조반전 free, 대비비 50:1이상) □ 시야각/계조반전에 따른 Color Shift : |dx|,|dy|<0.01 □ 시야각에 따른 Gamma 왜곡 : |dx|,|dy|<0.2
년도별 연구 내용	1차 년도	□ Gray to Gray 응답속도 16 ms 이하 □ 시야각 160도이상(계조반전 free, 대비비 20:1 이상) □ 시야각/계조반전에 따른 Color Shift : |dx|,|dy|<0.02 □ 시야각에 따른 Gamma 왜곡 : |dx|,|dy|<0.8
	2차 년도	□ Gray to Gray 응답속도 13 ms 이하 □ 시야각 160도이상(계조반전 free, 대비비 30:1 이상) □ 시야각/계조반전에 따른 Color Shift : |dx|,|dy|<0.015 □ 시야각에 따른 Gamma 왜곡 : |dx|,|dy|<0.4
	3차 년도	□ Gray to Gray 응답속도 10 ms 이하 □ 시야각 160도이상(계조반전 free, 대비비 50:1 이상) □ 시야각/계조반전에 따른 Color Shift : |dx|,|dy|<0.01 □ 시야각에 따른 Gamma 왜곡 : |dx|,|dy|<0.2 □ 시제품 제작 및 검증
연구과제의 추진 방법
□ 산업체 주도 추진
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 단위과제 공모 가

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		LCD-02-B
대분류명		40인치급 이상 HDTV 용 TFT-LCD 원천기술 개발
중분류과제명		휘도/대비비/색재현성 개선을 위한 요소/핵심 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 휘도 500 cd/m2 이상 (40□ 소비전력 150W 기준) □ 대비비 600:1 이상 □ 색재현성 75% 이상
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 고효율 Backlight 기술개발 □ Real Time Image Detection 및 Processing □ New Pigment의 색 재현성 연구
	2차 년도	□ 투과율 향상 기술 개발 □ Backlight 제어기술 및 구동회로 개발 □ New Pigment을 이용한 Color Filter 제조기술
	3차 년도	□ 기술 검증용 시제품 제작 □휘도 500 cd/m2 이상 (40□ 소비전력 150W 기준) □대비비 600:1 이상 □색재현성 75% 이상
연구과제의 추진 방법
□ 산업체 주도 추진
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 단위과제 공모 가

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		LCD-02-C
대분류명		40인치급 이상 HDTV 용 TFT-LCD 원천기술 개발
중분류과제명		Cost down(simple process)을 위한 요소/핵심 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 공정 단순화 20% 이상 □공정단순화: 하판 / Color filter 1 Mask 감소 □저 가격화 주변기술 개발
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 공정단순화를 위한 기술 개발 □하판, Color Filter □ Color Resist Patterning 연구
	2차 년도	□ 최적 공정 요소기술 개발 □전극구조 등 최적화 □ Color Resist Patterning 기술개발 □ 배향/Cell gap 제어/고속액정주입 공정기술 개발
	3차 년도	□ Color Filter 제조 공정 단순화 □ Process Integration 기술개발
연구과제의 추진 방법
□ 산업체 주도 추진
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 단위과제 공모 가 □ 제조원가 절감기술에 대한 기준 및 평가 방법 제시

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		PDP-02-A
대분류명		70인치급 HDTV 용 PDP 기술 개발
중분류과제명		고화질 PDP 핵심 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 크 기(Size) : 60□이상 □ HDTV용 고 화질 구현 □해상도 : HDTV(1920 □ 1080) □계 조 : 1,000 이상 □휘 도(Peak) : 1,000 cd/m□(패널)이상 □C/R(暗): 1,000:1 이상 □ 효 율 : 4 lm/W (HDTV 패널) □ 격벽, 투명 유전체용 균일막 형성 기술 개발: - 1.6m□1.0m이상, 패널 대비 □5□이하
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 초대형 패널 설계 기술 개발 □ 초대형 격벽, 투명 유전체용 균일막 형성용 원재료 개발 □ 초대형 대응 고속 구동기술 개발(1.5□ 이하) □ 대면적/대용량 대응 회로 및 부품 설계 □ 고정세 대응 화질 향상 기술 개발(Gray Scale: 256 이상)
	2차 년도	□ 초대형 패널 최적 설계 기술 개발 : 셀구조, 가스성분 □ 초대형 격벽, 투명 유전체 형성 기술 개발 □ 초대형 대응 고속 구동기술 개발(1.2□ 이하) □ 대면적/대용량 대응 회로 및 부품 제조 □ 고정세 대응 화질 향상 기술 개발(Gray Scale: 512 이상)
	3차 년도	□ 초대형 셀 및 가스 성분 최적화 □ 초대형 격벽, 유전체의 특성 평가: 형상 균일성 향상 기술 개발 □ 초대형 대응 고속 구동기술 개발(1.0□ 이하) □ 대면적/대용량 대응 회로 및 부품의 특성 평가 □ 고정세 대응 화질 향상 기술 개발(Gray Scale: 1,000 이상) □ 기술 검증용 시제품 제작
연구과제의 추진 방법
□ 기업체 주도, 장비, 부품업체, 연구소/대학 참여 □ 1단계에서 기술 구현 가능성 검증, 2단계에서 실용화함
연구과제 신청시 기타 고려사항

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		PDP-02-B
대분류명		70인치급 HDTV 용 PDP 기술 개발
중분류과제명		고효율 PDP 요소 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 크 기(Size) : 60□이상 □ HDTV용 고 효율 구현 □효 율 4.0 lm/W (1920x1080) □휘 도(Peak) : 1,000 cd/m□(패널)이상 □C/R(暗): 1,000:1 이상 □소비 전력 : 500W이하 (HDTV)
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 고효율 방전셀 설계 기술 (1.5 lm/W) □ 초대형 기판 제어 공정 알고리즘 개발 □ 초대형 막형성 Photo mask 개발 □ 초대형 균일막 형성용 원재료 개발 □ 대 소비전력에 따른 저 전압 구동/전원 회로 설계
	2차 년도	□ 고효율 방전셀 설계 기술 (2.5 lm/W) □ 초대형 기판 제어 장치 개발 □ 초대형 막형성 screen mask 개발 □ 초대형 균일막 형성 공정 기술 개발 □ 대 소비전력에 따른 저 전압 구동/전원 회로 제작
	3차 년도	□ 고효율 방전셀 설계 기술 (4.0lm/W) □ 초대형 기판 제어 공정의 최적화 □ 초대형 Photo mask/screen mask의 적용 기술 개발 □ 초대형 균일막 형성 공정의 최적화 기술 개발 □ 대 소비전력에 따른 저 전압 구동/전원 회로의 특성 평가 □ 기술 검증용 시작품 제작
연구과제의 추진 방법
□ 기업체 주도, 장비, 부품업체, 연구소/대학 참여 □ 1단계에서 기술 구현 가능성 검증, 2단계에서 실용화함
연구과제 신청시 기타 고려사항
□ 제조 원가를 평가할 수 있는 기준을 제시할 것

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		PDP-02-C
대분류명		70인치급 HDTV 용 PDP 기술 개발
중분류과제명		차세대 PDP 디지털 색 처리 및 자립형 회로 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 신구동 방식 개발: 구동PCB Size 30% 축소, 구동 부품수 20% 제거 □ System 최적화를 통한 low cost PDP system 개발 □ Digital color 처리 ASIC IC 개발 □ 고효율/박형 SMPS 개발 : 3cm 이하, 효율 Min 88% 이상
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 기초 자료 조사 및 구동 방식 simulation □ low cost/low power consumption형 switch 소자 적용 가능성 검토 □ Digital 색처리 기반 기술 개발 □ 고효율/저가/박형 SMPS 기초 기술 연구
	2차 년도	□ Test panel을 이용한 구동 방식 검증 □ 구동부, image process 및 digital data processing부 power loss 최소화 방안 연구 □ Color 처리 IC 1차 prototype FPGA 개발 □ 고효율/저가/박형 SMPS prototype 개발
	3차 년도	□ 신구동 방식 적용 HDTV급 SET 개발 □ System 최적화 SET 개발 □ Color 처리 IC ASIC 개발 □ 3cm이하 고효율/저가/박형 SMPS prototype 양산 기술 개발
연구과제의 추진 방법
□ 기업체 주도, 장비, 부품업체, 연구소/대학 참여 □ 1단계에서 기술 구현 가능성 검증, 2단계에서 실용화함
연구과제 신청시 기타 고려사항

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		PDP-02-D
대분류명		70인치급 HDTV 용 PDP 기술 개발
중분류과제명		저전력 PDP 핵심 요소 기술 개발
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ HDTV급 고 효율 셀 설계 : 4lm/W □ 고효율 에너지 회수 회로 개발 : 회수 효율 95%이상 □ 고효율 방전 가스 조성 개발 : 표준 조건 대비 효율 60%이상 □ 면적당 벽전하 측정 시스템 개발 □ 소비 전력: 200 W 이하(42□급)
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 고효율 HDTV급 셀 설계 구조 검토 및 제작 □ 에너지 회수 회로용 패널 소모 전력 분석 □잔류 에너지 회수 방식 분석 □에너지 재활용 방법 개발 □ 방전 가스 조성의 최적화 (표준 조건 대비: 20%향상) □ 1셀의 면적당 벽전하 측정 시스템 개발 □ 셀 구조에 적합한 구동 파형 분석 및 설계
	2차 년도	□ 셀의 효율 특성 향상: 2lm/W, 휘도 : 500cd/m2 □ 신 에너지 재활용 방식을 채용한 에너지 회수 회로 개발 □ 혼합 방전 가스 조성의 최적화(표준 조건 대비 :40%향상) □ 셀 구조에 적합한 구동 파형 회로 제작 □ 4□ 패널의 면적당 벽전하 측정 시스템 개발
	3차 년도	□ 셀 구조, 방전 가스, 구동 방식 개선에 의한 효율 최적화: 4 lm/W, 휘도 : 1,000cd/m2 □ 모듈의 에너지 회수 효율 분석: 95%이상 □ 패널용 벽전하 측정 시스템 개발 □ 혼합 방전 가스 조성의 최적화(표준 조건 대비 : 60%향상) □ 42□급 패널 적용, 특성 평가 (목표: 200W 이하)
연구과제의 추진 방법
□ 기업체 주도, 장비, 부품업체, 연구소/대학 일부 참여 □ 1단계에서 기술 구현 가능성 검증, 2단계에서 실용화함
연구과제 신청시 기타 고려사항

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		PDP-02-E
대분류명		70인치급 HDTV 용 PDP 기술 개발
중분류과제명		PDP셀의 microplasma 현상 해석 연구
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 비접촉식 3차원 입체 Microplasma 측정기술 및 simulator 개발 □S/N ratio>10 □시간 분해능<2ns □3차원 공간 분해능<3□, □계산시간 < 5hrs/pulse □ Microplasma와 보호막 상호 작용 해석: Aging 시간 8시간 이내 조건제시 □ Microplasma와 형광막 상호 작용 해석: 수명 3만 시간 조건 제시 □ 비접촉식 Wall charge 분포 시공간 분해 측정 기술 개발 □시간 분해능<2ns □3차원 공간 분해능<10□ □ Microplasma misfiring free 기술 개발
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 3차원 비접촉식 Microplasma 측정 시스템 개발 □ Microplasma/보호막 상호 작용 연구 □ Microplasma/형광막 상호 작용 해석 기법 연구 □ 비접촉식 Wall charge 분포 시공간 분해 측정 기법 개발 □ 방전셀 내 Microplasma misfiring 기구 규명
	2차 년도	□ GUI 3차원 방전 셀 시뮬레이터 개발(계산시간<10hrs/pulse) □ Microplasma/보호막 상호작용이 aging시간 및 화질에 미치는 영향규명 □ Microplasma/형광막 상호 작용에 의한 열화 기구 규명 □ 셀 구조에 따른 wall charge의 시 공간 분포 측정 □ 구동 방식이 Microplasma의 misfiring에 미치는 영향 규명
	3차 년도	□ 고정세 Microplasma 진단 및 3차원 초고속 시뮬레이터 개발 □S/N ratio>10 □시간 분해능<2ns □3차원 공간 분해능<3□ □계산시간 < 5hrs/pulse □ Microplasma/보호막 상호작용에 따른 최적 Aging 조건 제시 □ Microplasma/형광막 상호 작용에 의한 수명 결정 인자 제시 □ 신 Microplasma gas가 wall charge의 시공간 분포에 미치는 영향 연구 □시간 분해능<2ns □3차원 공간 분해능<10□ □ Microplasma의 misfiring free 조건 확립
연구과제의 추진 방법
□ 학교/연구소 주도, 모듈업체, 부품업체 참여 □ 1단계에서 기술 구현 가능성 검증, 2단계에서 실용화함
연구과제 신청시 기타 고려사항

【사업제안요구서(RFP)】

21세기 프론티어 연구개발사업 차세대 정보디스플레이 기술개발사업				과제번호		PDP-02-F
대분류명		70인치급 HDTV 용 PDP 기술 개발
중분류과제명		HDTV용 PDP 핵심 부품 재료 공정 기술
단위과제명
총개발기간		2002. 10.∼2008. 6.	(1)단계		2002. 10.∼2005. 6. (33개월)
1단계 목표		□ 조합 화학과 재료 설계에 의한 고효율 형광물질 개발 □기존 상용품 대비 성능 10% 이상 향상 □서브 마이크론 구형 형광제 제조 기술 개발 □형광막 형성 신 공정 기반 기술 개발 □ HDTV급 격벽 재료 및 신 격벽 형성 기술 개발 □HDTV급 non-stripe 격벽 : 격벽 폭 30□이하, 높이 120□이상 □ 고투과율 투명 유전체 및 형성 기술 개발: □투과율 80% 이상 □유전 상수: 10이하 □소성후 기포 발생 빈도 0.33/mm2이하 □크기 5□이하, □ HDTV급 BUS 전극 형성용 재료 및 성형 공정 개발 □소성 온도 : 550~600□/30분 □소성후두께 : 7.5 □이하 □Sheet 저항: 6.5 m□/sq □Under cut: 없슴, Edge curl: 1□이하
년도별 연구 내용	1차 년도	□ 구형 형상 및 서브마이크론 크기의 고효율 청색 및 녹색 형광체 합성 기술 개발 및 유기 바인더 조성 개발 □ 저온 소성용 격벽, 유전체 무연 조성 개발 □ 격벽, 유전체 신 성형 공정 개발 □ 고정세 BUS 전극 재료의 조성 설계 및 평가
	2차 년도	□ 구형 형상 및 서브마이크론 크기의 고효율 적색 형광체 합성 기술 개발 및 형광막 형성용 신공정 탐색 연구 □ closed cell type 격벽 성형 공정 개발 □ dry film type 유전체 성형 공정 개발 □ 차세대 고정세 전극의 형상, 소성 특성 평가
	3차 년도	□ 고효율 형광체 대량 합성 기술 개발 및 격벽용 신 공정 개발 □ 형광체, 격벽, 유전체 특성 평가 : 발광 효율 포함 □ 차세대 고정세 전극 형성 공정 및 원재료의 최적화 □ 기술 검증용 시제품 모듈 제작 (7.0□ 이상)
연구과제의 추진 방법
□ 학교/연구소 주도, 모듈업체, 부품업체 참여 □ 1단계에서 기술 구현 가능성 검증, 2단계에서 실용화함
연구과제 신청시 기타 고려사항