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해외단신
에너지절약 사회 실현에 기여하는 차세대 반도체 연구개발 사후평가(안) 원문보기 1
- 국가 일본
- 생성기관 문부과학성(MEXT)
- 주제분류 핵심R&D분야
- 원문발표일 2021-12-02
- 등록일 2021-12-24
- 권호 205
○ 문부과학성 11기 환경 에너지 과학기술위원회는 11.26 개최된 2회 회의에서「지구환경 정보 플랫폼구축추진프로그램」사후평가, 「에너지절약사회 실현에 기여할 차세대 반도체 연구개발」사후평가 등에 대해 논의하고 관련자료 공표
(차세대 반도체 연구개발)
- (연구목적) 질화갈륨(GaN)등 차세대 반도체와 관련하여 소재에서 디바이스화·시스템 응용까지의 연구개발을 실시하는 연구개발거점을 구축하고, 이론·시뮬레이션을 활용한 기초기반 연구를 실시하는 것으로 상용화를 위한 연구개발 가속화
- (연구 내용) 연구개발거점의 핵심을 담당하는 「핵심거점」을 설치하여 각 영역에서 실시되는 연구개발을 정리하고, 결정(crystal)제조 관련 연구개발 실시, 「평가기반영역」에서 결정 및 디바이스 평가와 관련된 연구개발 실시, 「파워디바이스·시스템 영역」 「레이저 디바이스·시스템 영역」 「고주파 디바이스·시스템 영역」에서는 각 디바이스의 제작과 관련된 연구개발을 핵심거점 및 평가기반영역과 연계하여 추진
- (예산) '16년~'20년 총액 67억 1100만엔(집행액 67억 6백만엔)
- (평가) GaN계열 디바이스의 기술력 향상에 크게 기여
(차세대 반도체 연구개발)
- (연구목적) 질화갈륨(GaN)등 차세대 반도체와 관련하여 소재에서 디바이스화·시스템 응용까지의 연구개발을 실시하는 연구개발거점을 구축하고, 이론·시뮬레이션을 활용한 기초기반 연구를 실시하는 것으로 상용화를 위한 연구개발 가속화
- (연구 내용) 연구개발거점의 핵심을 담당하는 「핵심거점」을 설치하여 각 영역에서 실시되는 연구개발을 정리하고, 결정(crystal)제조 관련 연구개발 실시, 「평가기반영역」에서 결정 및 디바이스 평가와 관련된 연구개발 실시, 「파워디바이스·시스템 영역」 「레이저 디바이스·시스템 영역」 「고주파 디바이스·시스템 영역」에서는 각 디바이스의 제작과 관련된 연구개발을 핵심거점 및 평가기반영역과 연계하여 추진
- (예산) '16년~'20년 총액 67억 1100만엔(집행액 67억 6백만엔)
- (평가) GaN계열 디바이스의 기술력 향상에 크게 기여
