국내외 과학기술 정책에 대한 간략한 정보
단신동향
해외단신
22년 수요즉응형 기술동향조사 - 화합물반도체- 원문보기 1
- 국가 일본
- 생성기관 특허청(JPO)
- 주제분류 핵심R&D분야
- 원문발표일 2023-05-22
- 등록일 2023-05-30
- 권호 241
○ 특허청은 화합물반도체에 관한 시장 및 정책동향, 특허출원동향 및 논문동향 등에 대해 정리한 보고서 공표
- (화합물 반도체 소재) GaAs(InGaAs, GaAlAs 포함), InAs, GaN(AlGaN, GaInN 포함), SiC, SiGe, Ga2O3, AlN, GaInN 포함), SiC, SiGe, SiGe, Ga2O3, AlN와 같이 크게 7종류의 소재에 대한 기술 동향 조사 실시
- (용도) 레이저 다이오드, 검출기(센서 포함), 고주파 디바이스, 파워 디바이스에 대한 기술 동향 조사
- (화합물 반도체 시장) '22 GaN(AlGaN, InGaN 포함)의 점유율이 가장 높고, 그 다음으로 GaAs(AlGaAs 포함), InP, SiGe, SiC, GaP 순
- (일본의 관련 정책) 내각부 전략적 혁신창조 프로그램(SIP), 경제산업성 녹색성장전략, 반도체·디지털산업전략, 문부과학성 혁신적 파워일렉트로닉스 창출 기반 기술 연구개발 사업
- (특허 패밀리 건수('14~'20년)) 총 33,919건으로 '16년 이후 소폭 증가 추세를 보이고 있으며, 출원인 국적・지역은 중국이 가장 많은 12,942건(38.2%), 그 다음으로 일본 7,998건(23.6%), 미국 5,668건(16.7%), 한국 2,873건(8.5%), 기타 2,294건(6.8%), 유럽 2,144건(6.3%)
- (화합물 반도체 소재) GaAs(InGaAs, GaAlAs 포함), InAs, GaN(AlGaN, GaInN 포함), SiC, SiGe, Ga2O3, AlN, GaInN 포함), SiC, SiGe, SiGe, Ga2O3, AlN와 같이 크게 7종류의 소재에 대한 기술 동향 조사 실시
- (용도) 레이저 다이오드, 검출기(센서 포함), 고주파 디바이스, 파워 디바이스에 대한 기술 동향 조사
- (화합물 반도체 시장) '22 GaN(AlGaN, InGaN 포함)의 점유율이 가장 높고, 그 다음으로 GaAs(AlGaAs 포함), InP, SiGe, SiC, GaP 순
- (일본의 관련 정책) 내각부 전략적 혁신창조 프로그램(SIP), 경제산업성 녹색성장전략, 반도체·디지털산업전략, 문부과학성 혁신적 파워일렉트로닉스 창출 기반 기술 연구개발 사업
- (특허 패밀리 건수('14~'20년)) 총 33,919건으로 '16년 이후 소폭 증가 추세를 보이고 있으며, 출원인 국적・지역은 중국이 가장 많은 12,942건(38.2%), 그 다음으로 일본 7,998건(23.6%), 미국 5,668건(16.7%), 한국 2,873건(8.5%), 기타 2,294건(6.8%), 유럽 2,144건(6.3%)
