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국내외 과학기술 정책에 대한 간략한 정보

단신동향

해외단신

AI 시대를 견인하는 광디바이스기술 원문보기 1

  • 국가 일본
  • 생성기관 과학기술진흥기구 연구개발전략센터(CRDS)
  • 주제분류 핵심R&D분야
  • 원문발표일 2025-03-07
  • 등록일 2025-03-21
  • 권호 283
○ 과학기술진흥기구 연구개발전략센터(CRDS)는 향후 사회의 디지털화 및 AI 기술 보급에 필수적인 데이터센터 내의 초고속 광통신 기술과 광디바이스 기술에 주목하여 일본 국내외 현황 및 향후 과제, 연구개발의 방향성 등을 정리한 보고서를 발표
○ 데이터센터 내 초고속 광통신기술 동향
- 최근 몇 년간 서버랙 상부까지 광배선 기술이 도입되어 전기배선에서 광배선으로 급격히 전환
- AI에 대응하는 메가데이터센터에서는 독자적인 아키텍처에 의한 AI/ML 클러스터가 주류를 이루고 있으며 소비 전력 감소를 위해 서버 구성의 디스어그리게이션화로 이행
- 광트랜시버와 광디바이스에 대해서는 초고속 동작, 저소비 전력화 및 빛의 특징인 병렬성을 활용한 대용량 광통신 기술화 등 기대
○ 광디바이스 관련 기술 동향
- 메가데이터센터 내 초고속 동작에 대해 빛의 우위성을 활용하여 400Gbit/s까지 고속변조동작 달성
- 일본이 강점을 지닌 기술인 InP계 반도체 광디바이스는 광통신시스템에 크게 기여하여 현재도 광디바이스 국제회의 논문 수, 초고속 광디바이스 시장에서 점유율 세계 1위 유지
- 경제안보, 화합물 반도체 산업 강화 등의 관점에서 미국, 유럽, 중국, 대만 광통신용 광디바이스에 주력
- 메가데이터센터 내의 새로운 고속화(1.6 Tbit/s ⇒ 3.2 Tbit/s ⇒ 6. 4Tbit/s)에 대한 대응, 선형 드라이브 플러그형 광학(LPO: Linear Drive Pluggable Optics), 공동 패키지형 광학(CPO: co-packaged optics) 등 혁신적인 방식에 대한 대응을 위한 광디바이스의 초고속 동작, 고온 안정 동작, 저소비 전력화 및 소형화
○ '30년대를 목표로 한 연구개발 방향성
- InP계 반도체 광디바이스: 레이저 광원으로서 보편적, 필수불가결한 존재로 한층 더 초고속 변조 및 저소비전력화 필요
- 실리콘 포토닉스: 기존 실리콘 집적회로 프로세스 장치에서의 저비용칩 제조

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