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단신동향
해외단신
기술혁신- 차세대파워반도체 원문보기 1
- 국가 일본
- 생성기관 아사히리서치센터(ARC)
- 주제분류 핵심R&D분야
- 원문발표일 2025-05-26
- 등록일 2025-06-13
- 권호 289
○ 아사히리서치센터는 차세대 파워반도체 관련 배경 및 현황, 보급을 위한 각 소재의 제조 프로세스 개발 및 주변 소재, 기술의 개선 관련 현황을 정리한 보고서를 발표
- 차세대 파워 반도체로서 ON 저항이 작고, 내압이 높은 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN), 산화갈륨(Ga2O3)등 화합물 반도체에 대한 기대가 높아지고 있으나, 기본의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 큰 전류, 고전압에 대응할 수 있으나 고품질 웨이퍼를 저렴하게 제조할 수 있는 프로세스 개발과 같은 과제가 있었음
- SiC 파워 반도체는 제조 공정에서 결함이 많이 발생하여 웨이퍼 제조 및 가공에 비용이 많이 들어 현재 계면의 결함을 줄이는 방법 및 결정결함, 적층결함을 억제하는 기술, 결정성장프로세스를 AI로 최적화하는 등 과제해결로 이어지는 기술개발 추진 중
- GaN 파워반도체는 고품질 GaN 기판을 제조하는 비용이 높아 대규모 양산에 어려움을 겪고 있으며, 고품질 GaN 결정성장 프로세스와 GaN 기판의 저비용 제조기술, 종형 GaN 파워디바이스의 저비용화 기술 등 개발 중
- Ga2O3 파워 반도체의 경우 구조가 안정되어 있는 α형과 β형에 대해 결정성장 프로세스 및 디바이스 개발에서 진전이 보임
- 차세대 파워반도체의 고성능화를 위해서는 고온 및 고전압에 견딜 수 있는 소재 및 주변 기술 개발도 중요하여 봉지재 및 본딩재·접합재에서 고온에 견딜 수 있는 소재, 딱딱한 잉곳(ingot)에서 웨이퍼를 잘라내는 기술, 딱딱한 웨이퍼를 칩 형태로 잘라내는 다이싱 기술 등 개발 중
- 차세대 파워 반도체로서 ON 저항이 작고, 내압이 높은 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN), 산화갈륨(Ga2O3)등 화합물 반도체에 대한 기대가 높아지고 있으나, 기본의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 큰 전류, 고전압에 대응할 수 있으나 고품질 웨이퍼를 저렴하게 제조할 수 있는 프로세스 개발과 같은 과제가 있었음
- SiC 파워 반도체는 제조 공정에서 결함이 많이 발생하여 웨이퍼 제조 및 가공에 비용이 많이 들어 현재 계면의 결함을 줄이는 방법 및 결정결함, 적층결함을 억제하는 기술, 결정성장프로세스를 AI로 최적화하는 등 과제해결로 이어지는 기술개발 추진 중
- GaN 파워반도체는 고품질 GaN 기판을 제조하는 비용이 높아 대규모 양산에 어려움을 겪고 있으며, 고품질 GaN 결정성장 프로세스와 GaN 기판의 저비용 제조기술, 종형 GaN 파워디바이스의 저비용화 기술 등 개발 중
- Ga2O3 파워 반도체의 경우 구조가 안정되어 있는 α형과 β형에 대해 결정성장 프로세스 및 디바이스 개발에서 진전이 보임
- 차세대 파워반도체의 고성능화를 위해서는 고온 및 고전압에 견딜 수 있는 소재 및 주변 기술 개발도 중요하여 봉지재 및 본딩재·접합재에서 고온에 견딜 수 있는 소재, 딱딱한 잉곳(ingot)에서 웨이퍼를 잘라내는 기술, 딱딱한 웨이퍼를 칩 형태로 잘라내는 다이싱 기술 등 개발 중
