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AI 반도체용 HBM 자체 개발 성공 원문보기

  • 국가 중국
  • 생성기관 로이터
  • 주제분류 핵심R&D분야
  • 원문발표일 2024-05-15
  • 등록일 2024-05-24
  • 권호 263

중국 대표 메모리 반도체 제조사인 CXMT(창신 메모리 테크놀로지)YMTC(양쯔메모리 테크놀로지)의 자회사 등이 HBM* 생산을 위한 초기 단계에 진입하며 자체 개발에 성공

* HBM은 기존 D램의 성능 한계를 극복하기 위해 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 데이터 대역폭(단위 시간당 주고받는 데이터의 )을 극대화한 고성능 메모리

- 중국 최대 D램 제조사 CXMT는 자국의 칩 패키징 및 테스트 회사 통푸 마이크로일렉트로닉스와 손잡고 자체적으로 HBM을 개발했으며 샘플 제품을 주요 고객사들에게 전달

- 또한 낸드 플래시 제조사 YMTC의 자회사 XMC(우한 신신) 지난 2월부터 월 3,000장 규모의 12인치 HBM 웨이퍼를 생산할 수 있는 신규 메모리 공장을 건립 중

- 중국은 미국의 반도체 규제가 본격화되기 직전인 약 3년 전부터 자체 HBM 개발을 시작했으며, 이번 개발에 성공한 HBM1~2세대 수준으로 아직 기술이나 성능 면에서 선도기업들과 큰 격차가 있지만 미국의 첨단 고성능 반도체 수출 규제에 맞서 자체 개발 노력이 진전을 이룬 결과


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