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KAIST·UNIST·한양대 연구팀, 2차원 반도체 결정 생성 위치 제어 기술 개발로 적층형 AI 반도체 구현 기반 마련 원문보기 1
- 국가 한국
- 생성기관 과학기술정보통신부
- 주제분류 핵심R&D분야
- 원문발표일 2026-10-08
- 등록일 2026-10-16
- 권호 320
○ 과기정통부가 지원한 KAIST·UNIST·한양대·TDS Innovation 공동연구팀이 2차원 반도체 결정의 생성 위치를 정밀 제어하는 기술을 개발하고, 네이처에 연구성과 게재
- 원자층 두께의 2차원 반도체는 회로 위에 쌓아 AI 칩 성능을 높이고 전력 소모를 줄일 수 있으나, 기존 기술은 결정핵 생성 위치가 불규칙해 결정 간 경계에서 품질이 저하되는 한계
- 연구팀은 산화물 장벽의 산소 성분이 가장자리의 결정핵 형성을 억제하는 특성을 활용해 중앙에 단일 결정핵을 유도했으며, 400개 실험 패턴 중 99% 이상에서 이황화몰리브덴 단결정 형성 성공
- 회로 설계에 맞춰 필요한 위치에 반도체를 성장시키는 제조 기술로 발전할 경우, 연산부와 메모리를 수직 집적하는 적층 공정을 뒷받침하고 데이터센터 전력 부담과 AI 응답 시간을 줄일 전망
- 원자층 두께의 2차원 반도체는 회로 위에 쌓아 AI 칩 성능을 높이고 전력 소모를 줄일 수 있으나, 기존 기술은 결정핵 생성 위치가 불규칙해 결정 간 경계에서 품질이 저하되는 한계
- 연구팀은 산화물 장벽의 산소 성분이 가장자리의 결정핵 형성을 억제하는 특성을 활용해 중앙에 단일 결정핵을 유도했으며, 400개 실험 패턴 중 99% 이상에서 이황화몰리브덴 단결정 형성 성공
- 회로 설계에 맞춰 필요한 위치에 반도체를 성장시키는 제조 기술로 발전할 경우, 연산부와 메모리를 수직 집적하는 적층 공정을 뒷받침하고 데이터센터 전력 부담과 AI 응답 시간을 줄일 전망
