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IBS 원자 치환 기반 '모듈형 트랜지스터' 개발로 초미세·저전력 반도체 공정 새 패러다임 제시 원문보기 1
- 국가 한국
- 생성기관 과학기술정보통신부
- 주제분류 핵심R&D분야
- 원문발표일 2026-10-16
- 등록일 2026-10-30
- 권호 321
○ 과기정통부 지원으로 IBS 조문호 단장 연구팀이 원자 치환으로 하나의 박막에 반도체·절연체·준금속을 구현하는 '모듈형 트랜지스터' 기술을 개발해 사이언스에 게재
- 2차원 반도체는 실리콘 미세화 한계를 극복할 소재로 주목받으나, 절연막·전극 등 이종 물질 집적이 어려워 대량 생산에 한계
- 연구진은 이셀레늄화텅스텐의 셀레늄 원자를 원자층 단위로 선택 치환해, 전극 접촉 에너지 장벽을 기존 대비 약 3분의 1로 낮추는 데 성공
- p·n형 트랜지스터를 수직 적층한 인버터가 1V 저전압에서 작동하면서, 향후 3차원 적층형 집적회로로의 응용 확대 전망
- 2차원 반도체는 실리콘 미세화 한계를 극복할 소재로 주목받으나, 절연막·전극 등 이종 물질 집적이 어려워 대량 생산에 한계
- 연구진은 이셀레늄화텅스텐의 셀레늄 원자를 원자층 단위로 선택 치환해, 전극 접촉 에너지 장벽을 기존 대비 약 3분의 1로 낮추는 데 성공
- p·n형 트랜지스터를 수직 적층한 인버터가 1V 저전압에서 작동하면서, 향후 3차원 적층형 집적회로로의 응용 확대 전망
