국내외 과학기술 정책에 대한 간략한 정보
단신동향
국내단신
차세대 메모리 핵심 소재 개발 성공 원문보기 1
- 국가 한국
- 생성기관 미래창조과학부
- 주제분류 핵심R&D분야
- 원문발표일 2016-07-14
- 등록일 2016-08-01
- 권호 75
○ 차세대 자성 메모리(MRAM)*의 속도 및 집적도를 동시에 향상시키는 소재기술 개발에 성공
* 실리콘을 기반으로 한 기존 반도체 메모리와 달리 얇은 자성 박막으로 만들어진 새로운 비휘발성 메모리 소자로서 외부 전원
공급이 없는 상태에서 정보를 유지
※ 미래소재디스커버리사업의 스핀궤도소재연구단의 지원을 받아 연구를 수행
- 현 연구팀은 동작 속도를 기존 자성메모리(MRAM) 기술보다 10배 이상 빠르고 고집적도를 달성 할 수 있는 새로운 기술을 개발
- 컴퓨터 또는 스마트폰에 쓰이는 SRAM보다 10배 이하로 전력소모를 낮출 수 있고, 비휘발성 특성으로 저전력을 요구하는 모바일,
웨어러블, 또는 사물인터넷(IoT)용 메모리로 활용 가능성이 큼
