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[2018-28] 초저전압 미래 반도체 기술 정부 R&D 투자 이슈와 정책 제언

  • 등록자 조은경
  • 등록일 2018-07-18
  • 분류 이슈페이퍼
  • 조회수 9,470

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[2018-28] 초저전압 미래 반도체 기술 정부 R&D 투자 이슈와 정책 제언
□ 반도체 산업은 ‘4차 산업혁명’이라는 트렌드 변화와 관련 산업 수요증가로 호황을 누리고 있으며, 최근 모바일 기기와 대형 서버에서는 빅데이터·인공지능·머신러닝 등의 신기술이 발전하기 시작하면서 수많은 데이터를 한꺼번에 처리해야 하는 산업적 니즈도 함께 증가
- 방대한 데이터를 빠른 속도로 연산하는 과정에서 생긴 반도체 집적회로의 발열을 줄일 수 있는 방안으로 반도체 집적회로의 구동전압을 낮추는 “초저전압 반도체”에 대한 필요성 부각
- 근본적으로 구동전압을 낮추는 원천적 기술로써 기존 반도체 MOSFET 소자의 저전압, 저전력, 집적도의 한계를 해결하는 새로운 초저전압 반도체 기술 요구
 
□ 본 이슈위클리에서는 초저전압 미래 반도체 기술 실태를 소개하고, 이와 직·간접적으로 관련된 R&D 사업을 선정하여 지원내용 및 사업성격에 따라 직접R&D와 간접R&D 분야로 나누어 최근 3년 간 정부 R&D 투자 현황을 심층 분석하여 이슈 및 한계점 도출
- 초저전압 반도체 기술 분야의 정부연구개발 내용은 선진국에서 이미 개발이 진행되었거나 상용화된 기술을 재현하는 추격자(fast follower) 전략으로 진행
- 그 외 기초연구개발 정부 지원 투자 감소 및 투자 불균형, 원천기술에 대한 투자 위축, 국제적 기술협력 기관 기술개발 부진·중단 등 산학연 협력 생태계 약화의 주요 이슈 도출
 
□ 이에 따라 동 기술의 효과적인 투자를 위해서 첫째, 혁신적인 기초 연구 과제에 대한 지원을 확대함으로써 미래 선도그룹 양성 밑거름 마련, 둘째, 소자·설계 분야를 융합하거나 공정·소자·설계 분야를 “융합한 연구” 확대, 셋째, 민간-정부 협력을 통한 전략적인 투자를 추진하여 미래 반도체분야 강소기업 육성 제언
 

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  • 담당자 김다은
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